電氣開關更換周期，電氣開關更換周期是多久

大家好，今天小編關注到一個比較有意思的話題，就是關于電氣開關更換周期的問題，于是小編就整理了1個相關介紹電氣開關更換周期的解答，讓我們一起看看吧。

在負載開關的應用中，如何計算其導通時間？

稱為脈寬調制變換器，其中AC表示交流電，使變換器在固定頻率下工作，通過調制占空比（PWM）控制輸出，單端變換器（反激、正激）中的高頻變壓器的磁芯只工作在第一象限，即處于磁滯回線的一邊。按變壓器的副邊開關整流器二極管的不同連接方式，單端變換器有兩種類型、半橋式和全橋式等多種類型。在高頻開關電源功率轉換電路中、推挽式，另一種是單端正激式變換器（兩者同時導通或截止）。利用閉環反饋控制穩定變換器的輸出，再加上保護環節等，DC表示直流電）稱為整流，DC-AC稱為逆變，AC-AC稱為交流-交流變換，稱為開關變換器電路，即 ；占空比越大，負載上電壓越高。目前應用較廣的是脈寬調制型（PWM）變換器，它包括正激式，用半導體功率器件作為高速開關，使其在開關狀態下工作，實現穩定的輸出。一個開關周期 內，功率開關導通時間 所占整個開關周期 的比例，稱為占空比D，但效率低。用半導體功率器件作為開關在現代電力電子技術中，反之當前者截止時后者導通），還有脈寬和頻率都可以改變的變換電路，這稱為頻率控制變換器。另外，通過改變工作頻率（PFM）控制輸出，它不涉及變頻問題，電路簡單，即可構成開關電源（Switching Power Supply）。開關電源主要組成部分是DC-DC變換器，它是功率轉換的核心。把直流電壓變換為低于這一數值的直流電壓，最簡單辦法是串聯一個可變電阻（功率三極管），用線性器件控制阻值的大小，還可以固定開關導通時間，電力變換有下列幾種，DC-DC稱為直流-直流變換。高頻半導體功率器件出現后，這就是線性電源，AC-DC（即AC轉換成為DC，實現能量轉換的電路：一種是單端反激式變換器（主功率開關管與變壓器副邊整流管的開通時間相反：當前者導通時后者截止。給變換電路加上整流電路和濾波電路，就構成一個完整的DC-DC變換器、反激式

回復：MOSFET主要參數包括BVDSS，RDS(on)，Crss，Coss以及VGS(th)；同步BUCK變換器的下管、半橋和全橋電路，以及有些隔離變換器副邊同步整流管還要考慮內部二極管反向恢復等參數，要結合具體的應用。下面波形為感性負載功率MOSFET開通的過程。

VGS(th)和VGP在功率MOSFET的數據表中可以查到，有些數據表中沒有標出VGP，可以通過計算得到平臺的電壓值。產生開通損耗的時間段為t1-t2、t2-t3，t0-t1時間段不產生開通損耗但是會產生延時。

在負載開關的應用中，要保證在t3時間后，輸出電容充電基本完成，就是電容的電壓基本等于輸入電壓，在這個過程中，MOSFEGT工作在線性區，控制平臺的電壓VGP，就相當于控制了最大的浪涌電流，浪涌電流就不會對系統產生影響。因此導通時間要多長，由輸出的電容和負載的大小決定。

具體的計算步驟是：設定最大的浪涌電流Ipk，最大的輸出電容Co和上電過程中輸出負載Io。如果是輸出電壓穩定后，輸出才加負載，則?。篒o=0。由下式可以算出輸出電容充電時間：

負載開關的應用通常在D、G極并聯外部電容，因此t2-t3時間遠大于t1-t2，t1-t2可以忽略，因此可以得到：t=t2-t3，由公式可以求出D和G極并聯的外部電容值。然后由上面的值對電路進行實際的測試，以滿足設計的要求。

負載開關的穩態功耗并不大，但是瞬態的功耗很大，特別是長時間工作在線性區會產生熱失效問題。因此PCB的設計，特別是貼片的MOSFET，要注意充分敷設銅皮進行散熱。在MOSFET的數據表中，熱阻的測量是元件裝在1平方英2OZ銅皮的電路板上。Drain的銅皮鋪在整個1平方英寸2OZ銅皮的電路板。實際應用中，Drain的銅皮不可能用1平方英2OZ銅皮的電路板，只有盡可能的用大的銅皮來保證熱性能。具體的降額值可能值可以參見下圖。如果是多面板，最好D和S極對應銅皮位置的每個層都敷設銅皮，用多個過孔連接，孔的尺寸約為0.3mm。

SO8標準熱阻：RθJA=90C/W，RθJC=12C/W。 SO8銅皮封裝熱阻：RθJA=50C/W，RθJC=2.5C/W。

到此，以上就是小編對于電氣開關更換周期的問題就介紹到這了，希望介紹關于電氣開關更換周期的1點解答對大家有用。